Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Home | Dissertation council | Library | Developments | Publications | Seminars | Contacts

Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН)
фтиан

 Последние новости

25.09.2019
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:
   - научного сотрудника по специальности квантовая оптика и квантовая информатика;
   
   - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.
   Конкурс будет проводиться 29 октября 2019 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   Дата окончания приема заявок 16.00 15.10.2019 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15
   

09.09.2019
   Уважаемые сотрудники ФТИАН им. К.А. Валиева РАН,
   
   В среду 18 сентября 2019 года в 12.00 в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН состоится общее собрание сотрудников Института по вопросу продления полномочий Лукичева В.Ф. в должности директора Института.
   Голосование продлится до 16.00.
   При себе обязательно иметь паспорт гражданина РФ.
   В то же время и в том же месте пройдет общее собрание научных работников Института по дополнительным выборам в ученый совет ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   
   
   Дирекция ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
   

09.07.2019
   
Сообщаем Вам о начале конкурсного отбора на предоставление грантов в форме субсидий в целях
реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным
направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»:
   1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
   http://fcpir.ru/participation_in_program/contests/list_of_contests/1_published/2019-05-579-0001/
   1.2 Проведение прикладных научных исследований для развития отраслей экономики
   http://fcpir.ru/participation_in_program/contests/list_of_contests/1_published/2019-05-576-0001/

07.07.2019
   Профсоюз работников РАН собирает списки сотрудников научных организаций РАН в Москве, желающих принять участие в строительстве ЖСК, расположенных по адресам: ул. Фотиевой, д. 10, ул. Миклухо-Маклая, д. 23 и на других потенциальных участках в районах расположения институтов. Предполагаемая цена квадратного метра жилья в таком ЖСК может быть ниже рыночной на 30-50%.
   
   Пайщиками ЖСК с господдержкой могут быть граждане, относящиеся к определенным категориям: молодые ученые, научные и инженерно-технические работники государственных академий наук, государственных научных центров и научных организаций, военнослужащие, научно-педагогические работники высших учебных заведений, работники общеобразовательных учреждений и учреждений здравоохранения и культуры, а также работники организаций оборонно-промышленного комплекса и федеральные государственные служащие.
   Обязательные условия для работников научных организаций, которые имеют право вступить в члены ЖСК с господдержкой, таковы:
   
   - научная организация должна быть основным местом работы;
   
   - общий стаж работы в научных организациях должен превышать 5 лет (требование по стажу снимается для семей с 3 и более детьми, а также для молодых семей (где оба родителя не старше 35 лет, либо не старше 35 лет один родитель в неполной семье, с 1 и более ребенком);
   
   - у сотрудника не должно быть земельного участка, переданного ему под индивидуальное жилищное строительство.
   
   О своем желании участвовать в строительстве ЖСК сотрудникам ФТИАН им. К.А. Валиева РАН необходимо сообщить в Профком института Родненковой Ольге Николаевне по e-mail: profkomftian@mail.ru не позже 31 августа 2019 г.

06.07.2019
   

Информация о конкурсах:
   


Седьмой конкурс на получение «мегагрантов»


   Организатор: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
   Основными задачами научных исследований, проводимых под руководством ведущих учёных в российских вузах и научных организациях, являются: создание исследовательских лабораторий мирового уровня; получение прорывных научных результатов и решение конкретных задач в рамках направлений определенных в Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации, необходимых для развития инновационной экономики Российской Федерации и подготовки высококвалифицированных кадров, способных участвовать в решении таких задач. Участниками конкурса могут быть российские вузы и научные организации совместно с иностранными или российскими ведущими учёными, занимающими лидирующие позиции в определённой области наук. Гранты Правительства Российской Федерации выделяются в размере до 90 млн. рублей каждый на проведение научных исследований в 2019 – 2021 годах.Дедалйн: 1 августа 2019Дата подведения итогов конкурса 1 ноября 2019
   Подробности на сайте: http://www.p220.ru/home/news/item/1612-7konbeg
    
   

Конкурс на получение грантов по приоритетному направлению деятельности РНФ «Проведение исследований международными научными коллективами»


   Организатор: Российский научный фонд
   В конкурсе могут принимать участие проекты международных научных коллективов, каждый из которых состоит из российского научного коллектива и зарубежного научного коллектива. Гранты выделяются на осуществление фундаментальных научных исследований и поисковых исследований в 2020-2022 годах. Размер одного гранта Фонда составляет от 4 млн. до 6 млн.рублей ежегодго.
   Дедлайн конкурса: 01 июля 2019
   Подробности на сайте http://рнф.рф/ru/contests/
    
   

Конкурс на лучшие научные проекты, выполняемые молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук в научных организациях Российской Федерации («Мобильность»)


   Организатор: Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)
   Задача Конкурса – привлечение молодых ученых из России и других стран для участия в научных исследованиях, проводимых в российских научных организациях, создание молодым ученым условий для получения результатов, необходимых для завершения диссертации на соискание ученой степени PhD или кандидата наук.
   Размер гранта: 120 000 рублей в месяц. Максимальный размер гранта: 720 тыс. руб.
   Дедлайн: 01 авгутса 2019
   Срок реализации проекта: от 1 до 6 месяцев
   Подробности на сайте https://www.rfbr.ru/rffi/ru/contest/o_2070285
    
   

 Конкурс на лучшие научные проекты фундаментальных научных исследований, проводимый совместно РФФИ и Австрийским научным фондом


   Организатор: Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ)
   Задача Конкурса – поддержка фундаментальных научных исследований, развитие международного сотрудничества в области фундаментальных научных исследований, содействие включению российских ученых в мировое научное сообщество, создание условий для выполнения совместных научных проектов учеными из России и Австрии. Максимальный размер гранта: 5 млн. руб.
   Дедлайн: 06 июля 2022
   Дата проведения: 20 марта 2018 – 06 июля 2022
   Подробности на сайте https://www.rfbr.ru/rffi/ru/contest/o_2058186
    
   

 Восьмой Национальный Суперкомпьютерный Форум (НСКФ-2019)


    
   Организатор: АНО "НСКФ", Институт программных систем имени А.К. Айламазяна РАН, Национальная Суперкомпьютерная Технологическая Платформа (НСТП)
   НСКФ посвящен вопросам создания и практики применения суперкомпьютерных технологий. НСКФ-2019 включён в план работы Национальной Суперкомпьютерной Технологической Платформы.
   Дата проведения: 26 ноября ‒ 29 ноября 2019
   Подробности на сайте: http://2019.nscf.ru

04.07.2019
    Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности:
   - младшего научного сотрудника по специальности квантовая информатика.
   Конкурс будет проводиться 04 сентября 2019 г. в 14.00. в Конференц-зале ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
   Дата окончания приема заявок 12.00 20.08.2019 г.
   
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)125-76-20
   

22.05.2019
   
ФГБУ науки Физико-технологический институт им. К. А. Валиева Российской академии наук
   с прискорбием сообщает, что 10 мая 2019г. на 75-м году жизни скоропостижно скончался
   
   Владимир Александрович КАЛЬНОВ

   
    В 1969 году Кальнов В.А. окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал на предприятии электронной промышленности НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Ионно-лучевое травление в промышленной технологии формирования функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД». С 1991 года В.А. Кальнов работал в Физико-технологическом институте РАН в должности старшего научного сотрудника, а с 1998 года по 2018г ученый секретарь ФТИАН РАН.
    Научные интересы В. А. Кальнова связаны с разработкой и использованием в технологии микроэлектроники ВУФ-излучения, разработкой технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, разработкой прецизионной технологии осаждения тонких плёнок применительно к рентгеновским зеркалам, технологией микромеханики.
   Всю свою жизнь он посвятил кропотливому труду на благо своей страны.
   Уход из жизни Владимира Александровича – большая утрата для коллектива института и всех, кто непосредственно был связан с ним.
   Добрая память о В.А. Кальнове навсегда останется в сердцах всех, кто его знал.
   


Архив новостей
 Полезные ссылки

Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН

Все ссылки

 Голосование

Каким броузером вы пользуетесь?
Internet explorer
Firefox
Opera
Maxthon (myIE)
Другим


Всего голосов:1263

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. Среди учеников К. А. Валиева — члены-корреспонденты РАН, доктора наук, руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

   В настоящее время академик Камиль Ахметович Валиев является советником РАН и научным руководителем института.

Орликовский Александр Александрович    Директором ФТИАН избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, родился 12 июня 1938 года, доктор технических наук, профессор, академик, зав. лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов.
   Работает в институте со дня его образования. В 1961 году закончил Московский инженерно-физический институт по кафедре электроники. До 1981 года разрабатывал физические и схемотехнические проблемы полупроводниковой памяти, что получило внедрение в электронной промышленности, выполнил ряд пионерских работ в этой области.
   С 1981 года работает в области физических основ технологических процессов микро- и наноэлектроники. Это циклы работ по технологии молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии, по проблеме силидизации контактов в КМОП-технологии, технологии плазмохимического осаждения и травления (теория и эксперимент), мониторингу плазмохимических процессов, технологии имплантации сверхмелкозалегающих р-п переходов, разработке широкоапертурных источников плотной плазмы, разработке полностью автоматизированного плазмохимического оборудования, в том числе, плазмо-иммерсионных имплантеров.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   А. А. Орликовский – автор более 250 научных статей и монографии, является председателем Научного совета «Перспективные технологии и приборы микро- и наноэлектроники, элементы квантовых компьютеров» Отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН, членом бюро Отделения, заместителем главного редактора журнала «Микроэлектроника».

 

Лукичев Владимир Федорович    Лукичев Владимир Федорович - заместитель директора ФТИАН по научной работе, доктор физико-математических наук.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 70 научных публикаций, ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника», член ВАК РФ.

 

Кальнов Владимир Александрович    Кальнов Владимир Александрович, ученый секретарь института, родился в г. Москве 13 мая 1944 года. В 1969 году окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал в НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию по проблеме ионно-лучевого травления в промышленной технологии создания функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД.
   С 1991 года и по настоящее время Кальнов В. А. работает в Физико-технологическом институте РАН на должности старшего научного сотрудника, в 1998 году избран ученым секретарем ФТИАН.
   Научные интересы Кальнова В. А. связаны с исследованиями в технологии микроэлектроники ВУФ излучения, в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, в прецизионной технологии осаждения тонких пленок для рентгеновских зеркал, в технологии микромеханики, в частности, для создания подвижных дифракционных решеток для малогабаритных акселерометров и спектрометров.
   Является автором более 80 научных работ и ряда изобретений. Является ученым секретарем секции «Информационные технологии и вычислительные системы» по присуждению премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.

Среди фундаментальных проблем:

  • физика и элементная база квантовых компьютеров;
  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
  • рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
  • исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
  • научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
  • модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Среди прикладных задач:
  • разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
  • разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
  • разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
  • разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
  • разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;
   В составе Института работают один академик, два члена-корреспондента РАН, 12 докторов и 22 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 100 чел.

Структура института

В составе института работают пять лабораторий:

  • Лаборатория физики квантовых компьютеров (академик К. А. Валиев);
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (член-корреспондент РАН А. М. Афанасьев);
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
  • Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
  • Учебно-научный центр ФТИАН-МГУ им. М. В. Ломоносова;
При институте работают:
  • базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
  • кафедра квантовой информатики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, зав.кафедрой академик К. А. Валиев;
  • аспирантура;
  • специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);
                              В рамках программы «Интеграция» ФТИАН сотрудничает с Московским инженерно-физическим институтом, Московским институтом электронной техники (ТУ), Московским государственным университетом им. М. В. Ломоносова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Международная конференция «Квантовая информатик»
Международная конференция «Квантовая информатика»


 12.09.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. С. Трушечкин
(МИАН)

Стойкость протокола квантовой криптографии ВВ84 при несовпадающих эффективностях однофотонных детекторов

 25.06.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. А. Абдуллаев
(РТУ МИРЭА)

Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе

 28.05.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

К. В. Егоров
(МФТИ (ГУ))

Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением

 16.05.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

В. М. Акулин.
(Университет Орсе)

Нелинейное взаимодействие двух оптических фотонов через коллективную моду прозрачного сверхпроводника

 16.04.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Измерение зарядового кубита с помощью одноэлектронного транзистора на тройной квантовой точке

 11.04.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Томография квантовых процессов с неидеальными измерениями

 19.02.2019 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю. М. Чесноков
(Национальный исследовательский центр Курчатовский институт)

Определение микроструктуры материалов кремниевой микро- и оптоэлектроники методами электронной микроскопии

 07.02.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. Беседин
(МИСиС)

Реализация и исследование двухкубитных вентилей на сверхпроводниковых структурах

 24.01.2019 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

И. А. Семенихин
(ФТИАН им. К. А. Валиева РАН)

Квантовомеханическое моделирование нанотранзистора

 13.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. А. Борщевская
(МГУ)

Многофотонные неклассические состояния света
(по материалам научно-квалификационной работы)

 06.12.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Р. С. Щуцкий
(Сколтех)

Классическая симуляция квантовых программ

 29.11.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Б. И. Бантыш
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, НИУ МИЭТ)

Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
(по материалам кандидатской диссертации)

 27.11.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН им. К.А. Валиева РАН)

Одноэлектронный транзистор на линейной структуре из трех туннельно-связанных КТ с электрическим и оптическим управлением

 23.10.2018 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Г. В. Баранов
(АО «НИИМЭ» и МФТИ (ГУ))

Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 28.06.2018 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

А. Б. Квасный
(МИФИ, ФТИАН)

Адаптивная высокоточная томография зашумленных квантовых состояний
(по материалам магистерской работы)


Архив семинаров
На главную страницу
Написать письмо
Версия для PDA 

© 2001-2019 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования